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  • HgPSe3 crystal HgPSe3 crystal

    HgPSe3 crystal

    HgPSe3晶体 材料名称 Name   HgPSe3   性质分类 Electrical   properties     拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 1.209 eV 合成方法 Synthetic   method ...

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  • HfS3 crystal HfS3 crystal

    HfS3 crystal

    HfS3晶体   材料名称 Name HfS3 性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 1.119 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

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  • GeTe crystal GeTe crystal

    GeTe crystal

    GeTe晶体 材料名称 Name     GeTe   性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.5 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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  • GeSb4Te7 crystal GeSb4Te7 crystal

    GeSb4Te7 crystal

    GeSb4Te7晶体   材料名称 Name GeSb4Te7 性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.269 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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  • GeBi4Te7 crystal GeBi4Te7 crystal

    GeBi4Te7 crystal

    GeBi4Te7晶体   材料名称 Name GeBi4Te7 性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?红外材料,热电材料,相变材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.597   eV 合成方法...

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  • GeBi2Te4 crystal

    GeBi2Te4 crystal

    GeBi2Te4晶体 材料名称 Name   GeBi2Te4   性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘体,红外材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.837 eV 合成方法 Synthetic   method ...

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  • GaPS4 crystal

    GaPS4 crystal

    GaPS4晶体 材料名称 Name     GaPS4   性质分类 Electrical   properties   拓扑材料,半导体 禁带宽度 Bangap 2.322 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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  • GaGeTe crystal

    GaGeTe crystal

    GaGeTe晶体 材料名称 Name     GaGeTe   性质分类 Electrical   properties   拓扑绝缘体,半导体,红外材料,热电材料, TI,Semiconductor,IR 禁带宽度 Bangap 0.2 eV ...

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  • CuInS2 crystal

    CuInS2 crystal

    CuInS2晶体 材料名称 Name     CuInS2   性质分类 Electrical   properties   拓扑材料,半金属,红外材æ–?/span> Semiconductor 禁带宽度 Bangap 0.05 eV 合成方法 Synthetic ...

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  • CuInP2Se6 crystal

    CuInP2Se6 crystal

    CuInP2Se6晶体 材料名称 Name     CuInP2Se6   性质分类 Electrical   properties   拓扑材料,半导体,红外材料,铁磁性材æ–?/span> 禁带宽度 Bangap 0.311 eV 合成方法...

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  • CuBi3PbS6 crystal

    CuBi3PbS6 crystal

    CuBi3PbS6晶体   材料名称 Name   CuBi3PbS6 性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.622 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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  • Cu3Se2 crystal

    Cu3Se2 crystal

    Cu3Se2晶体 材料名称 Name     Cu3Se2 性质分类 Electrical   properties   红外半导ä½?/p> IR Semiconductor 禁带宽度 Bangap 0.1 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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