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  • NbTe4 crystal

    NbTe4 crystal

    NbTe4晶体 材料名称 Name       NbTe4   性质分类 Electrical   properties   金属æ€?/span> 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

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  • Nb3GeTe6 crystal

    Nb3GeTe6 crystal

    Nb3GeTe6晶体 材料名称 Name     Nb3GeTe6   性质分类 Electrical   properties   金属æ€?/span> 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

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  • InSiTe3 crystal

    InSiTe3 crystal

    InSiTe3晶体 材料名称 Name       InSiTe3   性质分类 Electrical   properties 半导ä½?/span> 禁带宽度 Bangap 0.8 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

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  • InSb crystal InSb crystal

    InSb crystal

    InSb晶体 材料名称 Name     InSb   性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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  • InBi crystal InBi crystal

    InBi crystal

    InBi晶体 材料名称 Name   InBi   性质分类 Electrical   properties     拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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  • In3SbTe2 crystal In3SbTe2 crystal

    In3SbTe2 crystal

    In3SbTe2晶体 材料名称 Name       In3SbTe2   性质分类 Electrical   properties   金属 Metal 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

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  • In2Te5 crystal In2Te5 crystal

    In2Te5 crystal

    In2Te5晶体 材料名称 Name   In2Te5   性质分类 Electrical   properties   拓扑材料+热电材料 禁带宽度 Bangap ~1 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

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  • In2P3S9 crystal In2P3S9 crystal

    In2P3S9 crystal

    In2P3S9晶体 材料名称 Name       In2P3S9   性质分类 Electrical   properties   半导ä½?/span> Semiconductor 禁带宽度 Bangap 1.4 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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  • In2GaBi2S6 crystal In2GaBi2S6 crystal

    In2GaBi2S6 crystal

    In2GaBi2S6晶体 材料名称 Name    In2GaBi2S6   性质分类 Electrical   properties   拓扑材料,半导体 禁带宽度 Bangap 1.8 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

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