Product Description
| specifications | Take 10*10mm as the basic unit, each unit is marked with 100 numbers, the number interval is 900um, the number size is 50um*50um, and the line width is 10um. |
| Marking material | 30nm Cr |
| Specifications of silicon wafer | 4 inches, single-side polished, double-side oxidation, (100) crystal orientation, high conductivity N type or P type, resistivity less than 0.1 ohm*cm-1. Thicknees of oxided layer: 100nm, 300nm, 500nm |
| 数字规格： | 以10*10mm为基本单元，每个单元里标记100个数字，数字间隔900um，数字尺寸50um*50um，线宽10um。 |
| 标记材料： | 30nm Cr金属。 |
| 硅片规格： | 4英寸，单面抛光，双面氧化 , (100)晶向， 高导电N或者P型可选，电阻率小于0.1 ohm*cm-1。 |
| 制作流程： | 涂胶->曝光->显影->电子束蒸发金属层->去胶清洗->检验->包装。 |
| 包装规格： | 每片4英寸独立包装。 |
| 特殊定制： | 发送需求示意图和需求数量至sales@6carbon.com，评估成本和难度后进行报价。 |
