Product Description
| Marking material | 2nmTi+2nmAu |
| Specifications of silicon wafer | 4 inches, single-side polished, double-side oxidation, (100) crystal orientation, high conductivity N type or P type, resistivity less than 0.1 ohm*cm-1. Thicknees of oxided layer: 100nm, 300nm, 500nm |
| Customization | Contact sales@6carbon.com |
| 镀膜材料： | 2nmTi+2nmAu |
| 硅片规格： | 4英寸，单面抛光，双面氧化 , (100)晶向， 高导电N或者P型可选，电阻率小于0.1 ohm*cm-1。 |
| 制作流程： | 清洗>电子束蒸发 2nmTi+1nmAu金属层->检验->包装。 |
| 包装规格： | 每片4英寸独立包装。 |
| 特殊定制： | 发送需求示意图和需求数量至sales@6carbon.com，评估成本和难度后进行报价。 |
