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A-I

  • In3SbTe2 crystal In3SbTe2 crystal

    In3SbTe2 crystal

    In3SbTe2晶体 材料名称 Name       In3SbTe2   性质分类 Electrical   properties   金属 Metal 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

    $389.00
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  • InBi crystal InBi crystal

    InBi crystal

    InBi晶体 材料名称 Name   InBi   性质分类 Electrical   properties     拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

    $389.00
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  • InBiSe3 crystal

    InBiSe3 crystal

    性质类型: 可以看成掺In2Se3å’?Bi2Se3 和合金,但比Bi2Se3载流子浓度更高ã€?/p> 文章中尚未出现过,性质待探索ã€?/p>                

    $309.00
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  • InGaS3 crystal

    InGaS3 crystal

    注意事项:非常容易吸潮,应保存在无水环境中ã€?/p>   InGaS3          

    $219.00
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  • InSb crystal InSb crystal

    InSb crystal

    InSb晶体 材料名称 Name     InSb   性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

    $389.00
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  • InSiTe3 crystal

    InSiTe3 crystal

    InSiTe3晶体 材料名称 Name       InSiTe3   性质分类 Electrical   properties 半导ä½?/span> 禁带宽度 Bangap 0.8 eV 合成方法 Synthetic   method CVT 剥离难易程度...

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