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  • AgInP2Se6 crystal

    • AgInP2Se6 crystal

    $389.00
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    Product Description

    AgInP2Se6晶体

    材料名称

    Name

    AgInP2Se6

    性质分类

    Electrical   properties

     

    拓扑材料，半导体，红外材æ–?非线性材料，铁电材料

    禁带宽度

    Bangap

    0.622 eV

    合成方法

    Synthetic   method

    CVT

    剥离难易程度

    Degree of difficulty for exfoliation

     

    �/span>

    Easy

    保存注意事项

    Notice

    晶体稳定，不需要特殊保å­?/span>

    Stable

    更多信息ï¼?/span>

    请咨询：sales@6carbon.com

     

    参考文献：

    A. Dziaugys, J. Banys, J. Macutkevic & Ju. Vysochanskii (2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals, Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718

     

    实物照片

    AgInP2Se6.png

     

     

    材料结构

     

    AgInP2Se6-1.png

     

    能带结构

    AgInP2Se6-2.png

     

     

    EDS能谱定性测试元素成åˆ?/p>

    AgInP2Se6-4.png

     

     

    高结晶性XRD

     

    邮件ï¼?nbsp;sales@6carbon.com

    公司网址：http://www.6carbon.com

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