J-R

PbI2 crystal

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PbS crystal

PbS晶体 材料名称 Name PbS   性质分类 Electrical   properties   红外半导体，拓扑材料 IR Semiconductorï¼?Topological Material 禁带宽度 Bangap 0.5 eV 合成方法 Synthetic   method ...

PbSb2Te4 crystal

PbSb2Te4晶体 材料名称 Name   PbSb2Te4   性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘ä½?/span> Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.279 eV 合成方法 Synthetic   method CVT ...

PbSe crystal

PbSe晶体 材料名称 Name       PbSe   性质分类 Electrical   properties   红外半导体，拓扑绝缘ä½?/span> IR Semiconductor，TI 禁带宽度 Bangap 0.4 eV 合成方法 Synthetic ...

PbSnS2 Crystal

Crystal sizeï¼?/span> 5~10 mm Electrical propertiesï¼?/span> Magnetic semiconductor Purityï¼?/span> >99.999 % Characterized byï¼?/span> EDS，SEM，Raman Grown with: CVT  Contact for more information sales@6carbon.com  

PbSnSe2 Crystal

Crystal sizeï¼?/span> 5~10 mm Electrical propertiesï¼?/span> Magnetic semiconductor Purityï¼?/span> >99.999 % Characterized byï¼?/span> EDS，SEM，Raman Grown with: CVT  Contact for more information sales@6carbon.com  

PdSe2 Crystal

Crystal sizeï¼?/span> 5~10 mm Electrical propertiesï¼?/span> Metal, superconductor Purityï¼?/span> >99.999 % Characterized byï¼?/span> EDS，SEM，Raman Grown with: CVT  Contact for more information sales@6carbon.com  

PdTe2 Crystal

PdTe2 æ™¶ä½“   材料名称 Name PdTe2 性质分类 Electrical   properties 拓扑绝缘体，红外材料,超导材料ã€?span>type-II Dirac semimetal     禁带宽度 Bangap 0   eV ...

PtTe2 crystal

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ReS2 Crystal (Rhenium Disulfide)

Crystal sizeï¼?nbsp;               5~10 mmElectrical propertiesï¼?nbsp; SemiconductorPurityï¼?nbsp;                      >99.999 %Characterized byï¼?nbsp;...

ReSe2 Crystal (Rhenium Diselenide)

Crystal sizeï¼?nbsp;               5~10 mmElectrical propertiesï¼?nbsp; SemiconductorPurityï¼?nbsp;                      >99.999 %Characterized byï¼?nbsp;...

α-MoO3 Crystal

MoO3 æ™¶ä½“   材料名称 Name MoO3 性质分类 Electrical   properties 层状氧化ç‰?/p> 禁带宽度 Bangap 0   eV 合成方法 Synthetic   method CVT 晶体结构 Crystal ...